Artikelnummer | SI5936DU-T1-GE3 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
Leistung max | 10.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
Auf Lager: 0