Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IRFIB6N60APBF

Vishay Siliconix IRFIB6N60APBF

Artikelnummer
IRFIB6N60APBF
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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    2.18500/pcs

  • 10 pcs

    2.06100/pcs

  • 100 pcs

    1.69010/pcs

  • 500 pcs

    1.36859/pcs

  • 1,000 pcs

    1.15423/pcs
Gesamt:2.18500/pcs Unit Price:
2.18500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IRFIB6N60APBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 60W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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