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| Artikelnummer | IRFIB7N50A |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 60W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
Auf Lager: 735
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
Auf Lager: 1549
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 71A TO220
Auf Lager: 150
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Auf Lager: 778
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
Auf Lager: 0
