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| Artikelnummer | IRF640STRLPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Auf Lager: 706
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Auf Lager: 1159
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Auf Lager: 159
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Auf Lager: 8000
