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| Artikelnummer | IRF640FP |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 40W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Auf Lager: 0
