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Artikelnummer | SSM6L11TU(TE85L,F) |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 500mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 250MA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
Lieferantengerätepaket | UF6 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET ARRAY N/P-CH 20V UF6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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