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Artikelnummer | RN1102CT(TPL3) |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 20V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 50mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
Lieferantengerätepaket | CST3 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
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