Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung RN1102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1102ACT(TPL3)

Artikelnummer
RN1102ACT(TPL3)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer RN1102ACT(TPL3)
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket CST3
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