Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln CSD19534KCS

Texas Instruments CSD19534KCS

Artikelnummer
CSD19534KCS
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Texas Instruments

Texas Instruments

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Gesamt:0.71500/pcsUnit Price:
0.71500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerCSD19534KCS
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1670pF @ 50V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)118W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs16.5 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3
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