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| Artikelnummer | CSD18536KTT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11430pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 375W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DDPAK/TO-263-3 |
| Paket / Fall | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Hersteller: Tripp Lite
Beschreibung: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
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Hersteller: Hoffman Enclosures, Inc.
Beschreibung: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Auf Lager: 72000
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
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