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| Artikelnummer | CSD17579Q3AT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 998pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.2W (Ta), 29W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSONP (3x3.15) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Hersteller: Tripp Lite
Beschreibung: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
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Hersteller: Hoffman Enclosures, Inc.
Beschreibung: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
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Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Auf Lager: 72000
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Auf Lager: 0
