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| Artikelnummer | STY100NM60N |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 98A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 50V |
| Vgs (Max) | 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 49A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | MAX247™ |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 98A MAX247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
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