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| Artikelnummer | STW56N65M2-4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 358W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 24.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 28A
Auf Lager: 586
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 52A TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Auf Lager: 476
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
Auf Lager: 338
Hersteller: Seoul Semiconductor Inc.
Beschreibung: LED 5630 LINEAR STRIP
Auf Lager: 0
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A
Auf Lager: 613
