Artikelnummer | STP80NF55L-06 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4850pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±16V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 68V 96A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
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