Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP80N6F6

STMicroelectronics STP80N6F6

Artikelnummer
STP80N6F6
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:0.85500/pcsUnit Price:
0.85500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTP80N6F6
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs122nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7480pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs5.8 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3
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