Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STP23NM60ND

STMicroelectronics STP23NM60ND

Artikelnummer
STP23NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:3.41000/pcsUnit Price:
3.41000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTP23NM60ND
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C19.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 50V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3
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