Artikelnummer | STP23NM60ND |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
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