| Artikelnummer | STP20N60M2-EP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
Auf Lager: 610
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Auf Lager: 0
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
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