Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STH265N6F6-2AG

STMicroelectronics STH265N6F6-2AG

Artikelnummer
STH265N6F6-2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
ArtikelnummerSTH265N6F6-2AG
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs183nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds11800pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs2.1 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketH2Pak-2
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
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