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| Artikelnummer | STH260N6F6-2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 183nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 60A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H²PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK
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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
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