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| Artikelnummer | STH250N55F3-6 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 60A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H²PAK |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
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