Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STD13NM60N

STMicroelectronics STD13NM60N

Artikelnummer
STD13NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STD13NM60N
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 90W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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