Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung EMD30T2R

Rohm Semiconductor EMD30T2R

Artikelnummer
EMD30T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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    0.03990/pcs
Gesamt:0.04845/pcs Unit Price:
0.04845/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer EMD30T2R
Teilstatus Not For New Designs
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 30V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k, 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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