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| Artikelnummer | NVMD6P02R2G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| Leistung max | 750mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Auf Lager: 0
