Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays NVMD6N04R2G

ON Semiconductor NVMD6N04R2G

Artikelnummer
NVMD6N04R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer NVMD6N04R2G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V
Leistung max 1.29W
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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