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| Artikelnummer | MMDFS6N303R2 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 24V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
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