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| Artikelnummer | MMDF2C03HDR2G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.1A, 3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
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