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| Artikelnummer | APTSM120AM55CT1AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 272nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 1000V |
| Leistung max | 470W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MODULE - SIC
Auf Lager: 0
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