Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays APTSM120AM08CT6AG

Microsemi Corporation APTSM120AM08CT6AG

Artikelnummer
APTSM120AM08CT6AG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER MODULE - SIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Gesamt:335.49260/pcsUnit Price:
335.49260/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerAPTSM120AM08CT6AG
TeilstatusActive
FET Typ2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-EigenschaftSilicon Carbide (SiC)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C370A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 10mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs1360nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung max2300W
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSP6
LieferantengerätepaketSP6
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