Artikelnummer | APTM20DUM10TG |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 175A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 224nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
Leistung max | 694W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP4 |
Lieferantengerätepaket | SP4 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
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