Artikelnummer | APTM120A80FT1G |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 14A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V |
Leistung max | 357W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP1 |
Lieferantengerätepaket | SP1 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
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