Artikelnummer | APT75GT120JRDQ3 |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 97A |
Leistung max | 480W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 75A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 200µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227
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