Artikelnummer | IRF6708S2TR1PBF |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 13A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET S1 |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric S1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
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Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
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