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| Artikelnummer | IRF6706S2TR1PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1810pF @ 13V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 17A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET S1 |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric S1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
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