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Artikelnummer | MBRT200200R |
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Teilstatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Dioden-Typ | Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 200V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Three Tower |
Lieferantengerätepaket | Three Tower |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
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