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| Artikelnummer | MBRT120200R |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 60A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 60A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 120A 3TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
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