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Artikelnummer | MBR2X120A150 |
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Teilstatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Dioden-Typ | Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 120A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 120A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3mA @ 150V |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
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