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| Artikelnummer | ZXM61P03FTC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 600mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Auf Lager: 102000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Auf Lager: 20000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
Auf Lager: 114000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Auf Lager: 22284
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223
Auf Lager: 1000
