| Artikelnummer | ZXM61P02FTC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223
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