Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln ZVP2106AS

Diodes Incorporated ZVP2106AS

Artikelnummer
ZVP2106AS
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
ArtikelnummerZVP2106AS
TeilstatusObsolete
FET TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C280mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 18V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92-3
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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