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| Artikelnummer | ZVP0120ASTOA |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 110mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 32 Ohm @ 125mA, 10V |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
| Paket / Fall | E-Line-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
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