Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln DNLS412E-13

Diodes Incorporated DNLS412E-13

Artikelnummer
DNLS412E-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 12V 4A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
ArtikelnummerDNLS412E-13
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)12V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce400 @ 3A, 2V
Leistung max1W
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223
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