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| Artikelnummer | DMG3418L-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 464.3pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
Auf Lager: 260000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Auf Lager: 0
