Artikelnummer | DMG3406L-13 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 495pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 770mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.6A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
Auf Lager: 260000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Auf Lager: 0