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| Artikelnummer | DMC3036LSD-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A, 4.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 431pF @ 15V |
| Leistung max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
Auf Lager: 4000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
Auf Lager: 4000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Auf Lager: 215000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
Auf Lager: 2500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Auf Lager: 17500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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