Artikelnummer | DMC3021LSD-13 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.5A, 7A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.1nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 767pF @ 10V |
Leistung max | 2.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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