| Artikelnummer | DGD2103AS8-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Tortyp | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannungsversorgung | 10 V ~ 20 V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 290mA, 600mA |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 100ns, 50ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DVR HV 8SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DRVR HV SO8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DVR HV 8SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
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