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| Artikelnummer | CDM2206-800LR SL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 110W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Auf Lager: 744
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP
Auf Lager: 595
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A
Auf Lager: 485
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP
Auf Lager: 983
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Auf Lager: 985
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 8A 800V TO-220FP
Auf Lager: 720
