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| Artikelnummer | TC6320TG-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Microchip Technology
Beschreibung: MOSFET ARRAY N/P-CH 200V 8VDFN
Auf Lager: 3300
