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| Número da peça | TK11A65W,S5X |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11.1A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 450µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SIS |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Fabricante: AKM Semiconductor Inc.
Descrição: IC REG LDO 3V 0.3A SOT23L-6
Em estoque: 0
Fabricante: AKM Semiconductor Inc.
Descrição: IC REG LDO 5V 0.3A SOT23L-6
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Em estoque: 97
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Em estoque: 2000
