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| Número da peça | TK11A60D(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SIS |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Em estoque: 97
